3D填充DRAM,三星计划跃进30倍:亚博app官网买球

本文摘要:近年来,我国依然大力发展半导体产业,存储器芯片是其中最受欢迎的重点关注领域之一。

亚博app官网买球

近年来,我国依然大力发展半导体产业,存储器芯片是其中最受欢迎的重点关注领域之一。作为集成电路的三大类之一,存储器芯片通常被用于内存、家电、智能终端、固态存储硬盘等领域。对电子产品来说,存储器芯片就像粮食一样不可或缺。存储器芯片领域主要分为非易失性和非易失性两种。

难以丢失:关闭电源后,内存中的信息(如DRAM、电脑记忆棒等)将萎缩。非易失性:即使断电存储器内的信息依然不存在,主要是存储器(NandFLASH和NORFLASH ),NOR主要适用于代码存储介质,NAND用作数据存储。在整个内存芯片中,主要有DRAM、NORFLASH、NandFLASH三种产品。其中DRAM市场主要由三星、海格力斯、美光三巨头垄断,占90%以上。

AI内存的商机可以大大飞跃三星白鱼用DRAM专业的高性能AI (人工智能)处理器和服务器制作的3D填充DRAM,三星计划跃进30倍。3D填充DRAM可以利用硅打孔技术横向填充DRAM芯片,进出地下通道高,因此传输速度也大幅度变慢。韩国媒体ETnews援引产业信息的报道,三星最近向设备供应商购买了20台新型热压接封口机(TCB ),认为这是硅穿孔技术的合适设备,逻辑上,新机器的产量是原机台的8倍新的TCB机台将于今年年底定位,预计三星硅穿孔工艺的生产能力将减少30倍以上。英特尔和Nvidia现在向AI发展很大,也是一群三星潜在客户。

此外,苹果还开发了AI专用芯片,有信息说通过处理脸和语音识别等工作可以应用于iPhone和iPad等,三星似乎在嗅到这个AI存储器的新商机。美光力领先13纳米鼓,SK海力士领先18纳米三星电子工艺,首次批量生产18纳米鼓,抛弃了同行。竞争对手美光(Micron )和SK海格力斯(SKHynix )不输,为了追三星扔了钱。

据外媒报道,三星是DRAM的领导,工艺路线输了1~2年,预计2016年下半年首先批量生产18纳米DRAM,今年下半年前进到15纳米。研究机构估算,截至今年年底,三星希望将18纳米DRAM的生产比重提高到30%。据业界相关人士介绍,三星不优先利益,扩大生产抢市,打乱价格。

三星一马先行,DRAM第三大工厂的美光拼命赶上,计划在今后两三年内减少20亿美元,开发13纳米DRAM工艺。美光在日本广岛工厂设置了洁净室设备,销售了很多昂贵的生产机器。转移到13纳米工艺后,可以在同一晶片上分割更多的芯片,生产率提高20%。

美光今年第一季度批量生产了18纳米DRAM。与此同时,SK海力士也计划今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM,并投入移动设备用的18纳米DRAM。

SK海力士不优先考虑21纳米工艺的成品率,然后转移到20纳米,再转移到18纳米。SK海力士透露,该公司正在开发1yDRAM工艺,但尚未确认量产时间。

在此之前,三星电子的韩国华城工厂(Hwaseong )长期流传着扩大生产的传闻。据最新消息,三星要求投资3万亿韩元(约26.4亿美元)以提高DRAM的生产能力。但是,未来的11条生产线依然生产DRAM,因此如果产能减半,应该不会冲击DRAM的供给。

韩国媒体报道了业界新闻,称三星半导体事业部的门扩大了华城工厂的17线DRAM生产能力,生产10纳米级DRAM。三星已经传达了设备工厂扩大生产的计划,3月向部分商家订购,投资额约为2.5兆~3兆韩元,完成后每月跃进3.5万张300毫米的硅片,预计今年下半年可以生产。三星华城工厂是综合晶圆工厂,17线生产DRAM,11线生产图像传感器和DRAM,16-2线生产3DNANDFlash,S3线生产10纳米系统半导体。现在,11条线已更改为生产图像传感器的全部CMOS和CIS,DRAM依然在生产。

三星要求扩大17条线的DRAM产能,以弥补产能损失。根据相关人员的应对,这项投资是为了弥补11条线的生产能力削减和过程的小损失,完全不影响DRAM供求。

本文关键词:亚博买球,亚博app官网买球

本文来源:亚博买球-www.ifgtalent.com

相关文章

Both comments and pings are currently closed.

Comments are closed.

网站地图xml地图